Everspin MRAM非易失性存儲(chǔ)器在太空探索中獲得應(yīng)用
2021-04-27 09:44:34
Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用,如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit,該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入太空。
在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性和持久性方面,同類產(chǎn)品無(wú)法與Everspin的
MRAM產(chǎn)品相比, Everspin的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線定義,這是一項(xiàng)非常了不起的優(yōu)勢(shì)。
Angstrom Aerospace之所以選擇Everspin的4Mbit MRAM器件,是因?yàn)樗狭吮姸鄡?yōu)點(diǎn),如非易失性內(nèi)存、擴(kuò)展的溫度操作、耐力持久以及長(zhǎng)時(shí)間數(shù)據(jù)保留(即使在斷電的情況下)。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù),讓Angstrom Aerospace將所有存儲(chǔ)需求縮減到一個(gè)芯片上,從而降低了主板區(qū)域。同時(shí)MRAM存儲(chǔ)的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進(jìn)行重新配置。
MRAM溫度范圍的擴(kuò)大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設(shè)計(jì)(如TAMU)提供了獨(dú)特的高溫和高可靠性,MRAM的優(yōu)勢(shì)還延伸到運(yùn)輸和工業(yè)市場(chǎng),在這一領(lǐng)域,Everspin正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟(jì)高效的內(nèi)存的開發(fā)人員合作,這些內(nèi)存是非常理想的非易失性內(nèi)存,可進(jìn)行大量讀寫循環(huán)。
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外,航空航天和國(guó)防領(lǐng)域內(nèi)的一些世界領(lǐng)先OEM的專業(yè)組件設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造商e2v也宣布使用Everspin的MR2A16A產(chǎn)品。該公司已經(jīng)發(fā)布了一個(gè)可靠性擴(kuò)展版本,該版本在整個(gè)軍事溫度范圍都能以百分百的性能水平操作,可以很好地滿足航空電子、國(guó)防和航空航天應(yīng)用的要求。同時(shí)霍尼韋爾公司簽署協(xié)議,許可MRAM技術(shù)在軍事和航天應(yīng)用中使用,直到今天,他們繼續(xù)圍繞這一技術(shù)構(gòu)建產(chǎn)品。
MR2A16A提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時(shí)序,具有無(wú)限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動(dòng)在斷電時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù),以防止在不符合規(guī)定的電壓情況下進(jìn)行寫操作。對(duì)于必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MR2A16A是理想的存儲(chǔ)器解決方案。MR2A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
Everspin MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案,消除SRAM的電池備份,Everspin的MRAM產(chǎn)品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環(huán)境中順利完成這一任務(wù)所需的耐力、速度和可靠性。
Everspin代理英尚微電子可為用戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應(yīng)用解決方案。
MR2A16A型號(hào)表
Density |
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
MOQ(pcs)/ T&R |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
Commercial |
1,500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
Industrial |
1,500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP2 |
3.3V |
Extended |
1,500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP2 |
3.3V |
AEC-Q100 Grade 1 |
1,500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Commercial |
2,000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Industrial |
2,000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
Extended |
2,000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35R |
44-TSOP2 |
3.3v |
Extended |
1500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35R |
48-BGA |
3.3v |
Extended |
2000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35R |
48-BGA |
3.3v |
Industrial |
1500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35R |
44-TSOP2 |
3.3v |
Industrial |
2000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35R |
44-TSOP2 |
3.3v |
Commercial |
1500 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35R |
48-BGA |
3.3v |
Commercial |
2000 |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35R |
44-TSOP2 |
3.3v |
AEC-Q100 Grade 1 |
1500 |
本文關(guān)鍵詞:MRAM
MR2A16A
上一篇文章: 國(guó)產(chǎn)外擴(kuò)sram芯片EMI502NL16LM完美替換IS61WV12816FALL
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