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Everspin一級(jí)代理4Mb串口MRAM存儲(chǔ)芯片-MR25H40CDF

2022-03-04 14:24:25

Everspin科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng),由于MRAM可以保持?jǐn)?shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性,在應(yīng)用程序設(shè)計(jì)中起到了安全性至關(guān)重要的作用,應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車(chē)和運(yùn)輸市場(chǎng)等, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強(qiáng)大、最迅速的基礎(chǔ)。
 
MR25H40CDF是Everspin 旗下一款容量為4Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。位寬512K x 8。MR25H40CDF擁有35ns的讀/寫(xiě)周期(無(wú)寫(xiě)入延遲),以及出色的耐讀/寫(xiě)能力。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失,并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,是理想的內(nèi)存解決方案。
 
MR25H40CDF具有串行EEPROM 和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時(shí)序,沒(méi)有寫(xiě)延遲和無(wú)限的讀/寫(xiě)耐久性。與其他串行存儲(chǔ)器不同,MR25H40CDF系列的讀取和寫(xiě)入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生,寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。
 
MR25H40CDF系列可在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。MR25H40 (40MHz) 提供工業(yè)級(jí)(-40℃至 +85℃)、擴(kuò)展級(jí)(-40 至 105℃)和 AEC-Q100 1 級(jí)(-40℃ 至 +125℃)工作溫度范圍選項(xiàng)。采用 5 x 6mm、8引腳DFN封裝。引腳排列與串行 SRAM、EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素。everspin代理英尚微電子支持提供樣品測(cè)試及技術(shù)支持。
 
MR25H40系列
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp MOQ / Tray MOQ / T&R
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V Industrial 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V Industrial 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V AEC-Q100 Grade 1 1,140 4,000
4Mb 512Kx8 MR25H40MDFR 8-DFN sf 3.3v AEC-Q100 Grade 1 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDFR 8-DFN sf 3.3v Extended 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40VDF 8-DFN sf 3.3v Extended 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDFR 8-DFN sf 3.3v Industrial 1140 4000
4Mb 512Kx8 MR25H40CDCR 8-DFN 3.3v Industrial 1140 4000
 

本文關(guān)鍵詞: Everspin,MR25H40CDF,MRAM

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英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。

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