Everspin制造的MRAM和STT-MRAM的在市場和應(yīng)用中的數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。在數(shù)據(jù)中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車和運輸市場的應(yīng)用廣泛。
 
    我司英尚微提供的Everspin型號MR25H10是一款1Mb容量的MRAM非易失性存儲器，由131，072個8位字組成。提供串行EEPROM和串行Flash兼容讀/寫時序，無寫延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入可以在存儲器中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，是理想的內(nèi)存解決方案。

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	4000

 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,MR25H10

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