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并行mram芯片MR256DL08BMA45

2018-07-12 14:58:54

磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated MagneTIc)產品的領導廠商Everspin科技公司推出一款并行MRAM芯片產品,型號為:MR256DL08BMA45,該器件沒有寫入延遲,時鐘速度高達40mhz,本質上具有無限耐用性以及超過20年的數據保存。該ic采用標準并行總線接口,工作電壓為2.7~3.6v,典型睡眠電流為3ua。器件采用44-TSOP標準封裝,工作溫度為-40℃ to +125℃。是一款屬于商業(yè)級產品,可以在溫度條件嚴苛的條件下工作,保持數據不丟失的特性。

MRAM具有與標準隨機存取存儲器(RAM)類似的性能特征,同時還具有非易失性存儲器的持久性,這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源,其不會丟失其電荷或數據。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應用,如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應用。

以下是EVERSPIN并口MRAM的型號:

Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR256A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃

 

本文關鍵詞:Everspin

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